VN0550N3-G-P013介绍：
描述 MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 通孔 N 沟道 500V 50mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 MICrochip Technology
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 55pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 60 欧姆 @ 50mA，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-92-3
封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
晶体管按功能和用途可分为微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。在三极管没有加直流偏置时三极管be结和ce结导通，三极管放大电路将只有半个波输出将产生严重的失真。
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