DMN2050L-7介绍：
描述 MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 20 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 20V 5.9A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 6.7nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 532pF @ 10V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.4W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 29 毫欧 @ 5A，4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MOSFET在数位电路上应用的另外一大优势是对直流（DC）讯号而言，MOSFET的栅极端阻抗为无限大（等效于开路），也就是理论上不会有电流从MOSFET的栅极端流向电路里的接地点，而是完全由电压控制栅极的形式。
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