BSB044N08NN3 G介绍：
描述 MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）
制造商标准提前期 39 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 80V 18A（Ta），90A（Tc） 2.2W（Ta），78W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Ta），90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 97μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 73nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5700pF @ 40V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.2W（Ta），78W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4.4 毫欧 @ 30A，10V
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 MG-WDSON-2，CanPAK M?
封装/外壳 3-WDSON
功率MOSFET和前述的MOSFET元件在结构上就有著显著的差异。一般积体电路里的MOSFET都是平面式（planar）的结构，晶体管内的各端点都离芯片表面只有几个微米的距离。
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