BTS113介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 TEMPFET?
零件状态 停產
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA
Vgs（最大值） ±10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 560pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 40W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 170 毫欧 @ 5.8A，4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 P-TO220AB
封装/外壳 TO-220-3
此时可以将栅极与衬底看作电容器的两个极板，而氧化物绝缘层作为电容器的介质。当加上VGS时，在绝缘层和栅极界面上感应出正电荷，而在绝缘层和P型衬底界面上感应出负电荷。