BSS316N H6327介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 3.7μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 0.6nC @ 5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 94pF @ 15V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 160 毫欧 @ 1.4A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-SOT23-3
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
要使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID。
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