MT42L128M32D1TK-25 IT:A介绍：
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 停產
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - 移动 LPDDR2
存储容量 4Gb （128M x 32）
时钟频率 400MHz
写周期时间 - 字，页 -
存储器接口 并联
工作温度 -25°C ~ 85°C（TC）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 138-UFBGA，WLBGA
供应商器件封装 134-FBGA（10x11.5）
DRAM的结构可谓是简单高效，每一个bit只需要一个 晶体管另加一个电容。但是电容不可避免的存在漏电现象，如果电荷不足会导致数据出错，因此电容必须被周期性的 刷新（预充电），这也是DRAM的一大特点。而且电容的充放电需要一个过程，刷新频率不可能无限提升（频障），这就导致DRAM的频率很容易达到上限，即便有先进工艺的支持也收效甚微。随着科技的进步，以及人们对 超频的一种意愿，这些频障也在慢慢解决。
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