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存储器MT48H16M32L2B5-8IT DRAM
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，存储器MT48H16M32L2B5-8IT DRAM

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  • 所 在 地： 广东 深圳市 南山区
  • 发布日期： 2018年04月12日
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类型集成电路（IC）  
MT48H16M32L2B5-8IT介绍：
类别 集成电路（IC）
存储器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包装 ? 托盘 ?
零件状态 Digi-Key 停止供應
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - 移动 LPSDR
存储容量 512Mb （16M x 32）
时钟频率 125MHz
写周期时间 - 字，页 -
访问时间 7.5ns
存储器接口 并联
电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 90-VFBGA
供应商器件封装 90-VFBGA（8x13）
基本零件编号 MT48H16M32
DRAM的结构可谓是简单高效，每一个bit只需要一个 晶体管另加一个电容。但是电容不可避免的存在漏电现象，如果电荷不足会导致数据出错，因此电容必须被周期性的 刷新（预充电），这也是DRAM的一大特点。而且电容的充放电需要一个过程，刷新频率不可能无限提升（频障），这就导致DRAM的频率很容易达到上限，即便有先进工艺的支持也收效甚微。随着科技的进步，以及人们对 超频的一种意愿，这些频障也在慢慢解决。
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