BC858CLT1G介绍:
类别 分立半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
制造商 ON SemIConductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值） 30V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值） 15nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 420 @ 2mA，5V
功率 - 最大值 300mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
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