SQM120N06-3M5L_GE3介绍:
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay SilIConix
系列 汽车级，AEC-Q101，TrenchFET?
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 330nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14700pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 375W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.5 毫欧 @ 29A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-263
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
免责声明： 以上所展示的信息由企业自行提供，内容的真实性、准确性和合法性由发布企业负责。买卖IC网对此不承担任何保证责任。
以上是，安富利SQM120N06-3M5L_GE3 晶体管 - FET，类型:晶体管 - FET的信息