制造商
STMICroelectronics
制造商零件编号
STP30N20
描述 MOSFET N-CH 200V 30A TO-220
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
详细描述 通孔 N 沟道 200V 30A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB系列 STripFET??
零件状态 停產
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1597pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 125W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 75 毫欧 @ 15A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
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