制造商
STMICroelectronics
制造商零件编号
STP30N20
描述 MOSFET N-CH 200V 30A TO-220
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB系列 STripFET??
零件状态 停產
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1597pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 125W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 75 毫欧 @ 15A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
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