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IPB042N10N3G只做原装,假一罚十
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,IPB042N10N3G只做原装,假一罚十

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  • 发布日期: 2017年06月29日
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型号IPB042N10N3G厂家NFINEON
批号1617+封装SOT263
数据列表
其它名称IPB042N10N3 G-ND 
IPB042N10N3G 
IPB042N10N3GATMA1 
SP000446880 

规格
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 150μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)117nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)8410pF @ 50V
Vgs(最大值)±20V
FET 功能-
功率耗散(最大值)214W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)4.2 毫欧 @ 50A,10V
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装PG-TO263-3
封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

公司:瀚佳科技(深圳)有限公司

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