搜索：
产品供求
↑搜索排行榜
以下是，IPB042N10N3G只做原装，假一罚十，型号:IPB042N10N3G 厂家:NFINEON 批号:1617+ 封装:SOT263 ，请点击“询价”
-IPB042N10N3G只做原装，假一罚十 型号:IPB042N10N3G 厂家:NFINEON 批号:1617+ 封装:SOT263-买卖IC网
IPB042N10N3G只做原装，假一罚十
查看大图

，IPB042N10N3G只做原装，假一罚十

  • 当 前 价： -
  • 最小起订： -pcs
  • 供货总量： 9000pcs
  • 点此询价
  • 发 货 期： 7 天内发货
  • 所 在 地： 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期： 2017年06月29日
瀚佳科技（深圳）有限公司进入企业网站查看联系方式
最新供应 | IC现货 | 热卖IC
  • 联系人：李先生 李小姐（原装正品） (先生) QQ 3449124707QQ 3441530696QQ 2480898381MSN:086-0755-23140719
  • 电话：0755-23140719/15323480719
  • 传真：0755-23140719
  • 邮件：3449124707@qq.com/3441530696@qq.com
  • 地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大厦1709室
型号IPB042N10N3G厂家NFINEON
批号1617+封装SOT263
数据列表
其它名称IPB042N10N3 G-ND 
IPB042N10N3G 
IPB042N10N3GATMA1 
SP000446880 

规格
FET 类型N 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.5V @ 150μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）117nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）8410pF @ 50V
Vgs（最大值）±20V
FET 功能-
功率耗散（最大值）214W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）4.2 毫欧 @ 50A，10V
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装PG-TO263-3
封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

公司:瀚佳科技（深圳）有限公司

联系人:李先生李小姐（只做原装现货）

手机:15323480719

电话:0755-23140719

传真:0755-23140719 QQ3441530696/3449124707

地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大厦1607室

图文
图文
图文
图文
图文
图文
图文
图文
图文
图文
图文
图文
图文
图文
图文
免责声明： 以上所展示的信息由企业自行提供，内容的真实性、准确性和合法性由发布企业负责。买卖IC网对此不承担任何保证责任。
以上是，IPB042N10N3G只做原装，假一罚十，型号:IPB042N10N3G 厂家:NFINEON 批号:1617+ 封装:SOT263的信息
VIP会员服务 广告服务 商务合作 关于我们 免责条款 网站地图
由北京辉创互动信息技术有限公司独家运营
粤ICP备14064281号 客服群：4031849 交流群：4031839 商务合作：QQ 775851086