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IPB107N20N3G只做原装，假一罚十
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，IPB107N20N3G只做原装，假一罚十

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  • 所 在 地： 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期： 2017年06月29日
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型号IPB107N20N3G厂家INFINBEON
批号1617+封装TO-263
数据列表
其它名称IPB107N20N3 G-ND 
IPB107N20N3 GTR 
IPB107N20N3G 
IPB107N20N3GATMA1 
SP000676406 

规格
FET 类型N 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）88A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 270μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）87nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）7100pF @ 100V
Vgs（最大值）±20V
FET 功能-
功率耗散（最大值）300W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）10.7 毫欧 @ 88A，10V
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装PG-TO263-2
封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

公司:瀚佳科技（深圳）有限公司

联系人:李先生李小姐（只做原装现货）

手机:15323480719

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