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FOD3120驱动光耦合器
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,FOD3120驱动光耦合器

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  • 所 在 地: 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期: 2015年05月18日
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FOD3120高抗干扰度,输出电流2.5,门驱动光耦合器

FOD3120

特性
高噪声免疫力以35千伏/μs最低共模抑制

2.5峰值输出电流驱动能力对于大多数1200 v / 20 IGBT

使用p沟道mosfet在产出阶段使输出电压摆幅接近供应铁路

宽的电源电压范围从15 v 30 v

切换速度快

- 400 ns马克斯。传播延迟

- 100 ns马克斯。脉冲宽度失真

欠压锁定(UVLO)和磁滞

扩展工业温带范围,-40°C到100°C的温度范围内

安全及监管机构的批准

——5000 VRMS UL1577 1分钟。

——IEC60747-5-2

RDS(1)?(typ)提供了更低的功耗

> 8.0毫米间隙和爬电距离(选择“T”或“T”)

1414 v工作绝缘电压峰值(VIORM)

FOD3120

描述

FOD3120是输出电流2.5门驱动光耦合器,

开车最1200 v / 20的能力IGBT / MOSFET。

它是适合快速交换驱动电动机控制中使用

的功率IGBT、mosfet逆变器应用程序,

电力系统和高性能。技术,Optoplanar?,

优化集成电路设计实现高噪声免疫力,

具有很高的共模抑制。

它由一个铝镓砷化物(AlGaAs)发光

二极管光耦合到一个集成电路高速

驱动MOSFET推挽输出级。


FOD3120

应用程序

工业逆变器

不间断电源

感应加热

孤立IGBT /功率MOSFET栅极驱动

公    司:深圳市华永泰科技有限公司
公司地址:深圳市福田区中航路都会轩3007-3009室
联 系 人:颜先生
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