WPMD2013 上海韦尔双P沟道小信号MOS管
双P沟道，-20V，-0.64A，小信号MOSFET
WPMD2013 说明
该WPMD2013是P沟道增强MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。此装置适用于在直流 - 直流转换，负载开关和电平移位的使用。标准产品WPMD2013是无铅的。
WPMD2013 产品特点
1.Trench Technology
2.Supper high density cell design
3.Excellent ON resistance
4.Extremely Low Threshold Voltage
5.Small package SOT-563
1.沟槽技术
4.非常低阈值电压
5.小型封装SOT-563
WPMD2013 应用
1.DC-DC转换电路
2.小信号开关
4.电平转换
公 司：深圳市华永泰科技有限公司
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