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制造商：AOS标准包装数：3000
封装：SO-8包装：Tape&Reel
类别：FET - 阵列无铅情况/RoHS： 符合
产品描述：MOSFETS
参数数值
系列-
FET 类型N
FET 功能-
漏源极电压 (Vdss)40V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）6A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）38mΩ @4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）3V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)4.3nC
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)516pF
功率 - 最大值2W
装配类型Surface Mount
封装/外壳-
供应商器件封装SO-8
结构Dual
通用General Purpose
ESD二极管No
肖特基二极管No
肖特基类型-
栅极电压 (±V)20
电流 - 连续漏极 (Id)(A)@70° C5
功率 (W)@70°C1.3
导通电阻(mΩ max) at栅极电压=10V30
导通电阻 (mΩ max) at栅极电压=4.5V38
导通电阻 (mΩ max) at栅极电压=2.5V-
导通电阻 (mΩ max) at栅极电压=1.8V-
导通电阻 (mΩ max) at栅极电压=1.5V-
导通电阻(mΩ max) at栅极电压=1.2V-
栅短路共源反向传输电容(pF)43
米勒电荷(nC)1.4
开通延迟时间(ns)6.4
关断延迟时间(ns)16.2
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