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封装：DFN-8包装：Tape&Reel
类别：FET - 单路无铅情况/RoHS： 符合
产品描述：MOSFET N-CH 30V 14A SDMOS 8DFN
参数数值
系列SDMOS?
FET 类型N
FET 功能LogIC Level Gate
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）14A (Ta), 36A (Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）5 mΩ @ 20A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）1.8V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)33nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1229pF @ 15V
功率 - 最大值2W
装配类型Surface Mount
封装/外壳8-PowerVDFN
供应商器件封装DFN-8
结构-
通用-
ESD二极管-
肖特基二极管-
肖特基类型-
栅极电压 (±V)-
电流 - 连续漏极 (Id)(A)@70° C-
功率 (W)@70°C-
导通电阻(mΩ max) at栅极电压=10V-
导通电阻 (mΩ max) at栅极电压=4.5V-
导通电阻 (mΩ max) at栅极电压=2.5V-
导通电阻 (mΩ max) at栅极电压=1.8V-
导通电阻 (mΩ max) at栅极电压=1.5V-
导通电阻(mΩ max) at栅极电压=1.2V-
栅短路共源反向传输电容(pF)-
米勒电荷(nC)-
开通延迟时间(ns)-
关断延迟时间(ns)-
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