| 型号 | IRF640NS | 厂家 | IR |
| 批号 | 14+ | 封装 | SOT-263 |
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规格| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA |
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| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1160pF @ 25V |
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| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 67nC @ 10V |
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| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 150 毫欧 @ 11A，10V |
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| 供应商器件封装 | D2PAK |
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| 功率 - 最大值 | 150W |
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| 安装类型 | 表面贴装 |
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| 封装/外壳 | TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
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| 漏源极电压 (Vdss) | 200V |
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| 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时） | 18A （Tc） |
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| FET 功能 | 标准 |
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| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
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