| 型号 | EM78P372N | 厂家 | EMC |
| 批号 | 14+ | 封装 | SOP14 |
8位微处理器设计和低功耗和高速CMOS技术开发。该器件具有一个片上2K?13位一次性可编程只读存储器（OTP-ROM）。它提供了一个保护位，以防止用户的OTP存储器的代码的侵扰。三个代码选项位可满足用户的要求。
具有增强的OTP-ROM特性，EM78P372N提供了开发和验证用户的程序的一个方便的方法。此外，该OTP设备提供了简单而有效的程序更新的优势，利用开发和编程工具。用户可以使用义隆烧录器容易的烧写自己的开发代码的。
产品特点
CPU配置
2Kx13位片上ROM
80x8位片内寄存器（SRAM）
8级堆栈。
4级可编程电压检测（LVD）：4.5V，4.0V，3.3V，2.2V
3级可编程电压复位（LVR）：4.0V，3.5V，2.7V
小于1.5 mA在5V/4 MHz的
典型值15μA在3V/32kHz的
通常情况下2μA，在休眠模式
I / O端口配置
3双向I / O端口：P5，P6，P7
18个I / O引脚＆1I针
唤醒端口：P5
8个可编程下拉I/ O引脚
16个可编程上拉I/ O引脚
8个可编程漏极开路I / O引脚
14个可编程高灌电流I/ O引脚
外部中断：P60
工作电压和温度范围：
2.1V?5.5V，在0°C?70°C（商用）
2.3V?5.5V在-40°C?85°C（工业级）
经营模式：
晶振模式：
DC?16兆赫，4.5V;
DC?8MHz的，3V; DC?4兆赫，2.1V
ERC模式：
DC?2兆赫，2.1V;
IRC模式：
振荡方式：16兆赫，4兆赫，1兆赫，8 MHz的
内部RC频率漂移率
温度（-40°C?85°C）电压（2.1V?5.5V）的总过程
4 MHz的±2％±1％±2％，±5％
16兆赫±2％±1％±2％±5％
8兆赫±2％±1％±2％±5％
1千赫±2％，±1％，±2％，±5％
振荡方式：
快速建立时间仅需要为0.8ms（VDD：15PF5V晶振：4 MHz时，C1/C2）在XT模式和10?S IN IRC模式（VDD：5V，IRC：4 MHz时）
八个中断源：三个外部和内部五：
TCC溢出中断
输入端口的状态变化中断（从睡眠模式唤醒）
外部中断
ADC转换结束中断
比较器的状态变化中断
低电压检测（LVD）中断
PWM1?2周期匹配中断
PWM1?2占空比匹配中断
EM78P447 EM78P153 EM78P156
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