单二极管配置：MA4AGBLP912是铝镓砷化阳极增强，梁式引线PIN二极管。砷化铝镓阳极，它采用M / A-COM公司正在申请专利的异质结技术，产生更少的二极管导通电阻比传统的GaAs器件。这些器件制造使用专为高装置均匀性和极低的寄生过程OMCVD外延晶片上。该二极管具有低串联电阻，4Ω，低电容，28fF，并为5ns的极快的开关速度。它们被充分钝化的硅氮化物和有划伤保护的聚合物的附加层。该保护涂层防止损坏连接处和搬运和组装过程中，阳极的空气桥。该MA4AGBLP912设备的超低电容，非常适合通过W波段的使用。低RC产品beamlead PIN二极管和低姿态允许在微波和毫米波开关设计，在低插入损耗和高隔离度要求使用。的+10毫安为低损耗状态，和0V，为隔离状态下的操作的偏置条件允许使用一种简单的+ 5V TTL门驱动的。这些砷化铝镓，beamlead二极管，可在雷达系统，高速ECM的电路，光交换网络，仪器仪表等宽带多掷开关组件开关阵列使用。