IRF3205PBF

产品详细说明
制造商:International Rectifier
RoHS: 环保
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:55 V
闸/源击穿电压:20 V
漏极连续电流:98 A
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220AB
封装:Tube
栅极电荷 Qg:97.3 nC
功率耗散:150 W
工厂包装数量:50

 
 
类别：分离式半导体产品

家庭：FET-单路

系列：HEXFET?

FET型：MOSFETN通道，金属氧化物

FET特点：标准型

开态Rds（最大）@Id,Vgs@25°C：8毫欧@62A,10V

漏极至源极电压(Vdss)：55V

电流-连续漏极(Id)@25°C：110A

Id时的Vgs(th)（最大）：

闸电荷(Qg)@Vgs：

在Vds时的输入电容(Ciss)：

功率-最大：200W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220AB

包装：管件

其它名称：*IRF3205PBF