JS28F128P33T85

产品详细说明
标准包576

家庭记忆
系列StrataFlash

内存大小128米(8 Mx16)
　　
　　速度85纳秒
　　
　　接口并行(Byte-wide)
　　
　　电压-供应2.3 V ~ 3.6 V
　　
　　操作温度°C ~ 85 -40°C
　　
　　包/ Case 56-TFSOP(0.724、18.40毫米宽)
　　
　　供应商设备包56-TSOP(18.4 x14)
　　
　　包装托盘

1 按页读操作

　　闪存芯片的默认状态为读状态。读操作是以通过4 个地址周期将00h 地址写到指令寄存器为开始指令,一旦该指令被锁存,就不能在下页中写入读操作了。

　　可以通过写入随机数据输出指令来从一页中随机地输出数据。数据地址可以从将要输出的数据地址中通过随机输出指令自动找到下一个地址。随机数据输出操作可以多次使用。

　　2 页编程

　　闪存芯片的编程是按页进行的, 但它在单页编程周期中支持多个部分页编程, 而部分页的连续字节数为2112。写入页编程确认指令(10h) 即可开始编程操作,但写入指令(10h) 前还必须输入连续数据。

　　连续装载数据在写入连续数据输入指令(80h)后,将开始4 个周期的地址输入和数据装载,而字却不同于编程的数据, 它不需要装载。芯片支持在页中随机输入数据,并可根据随机数据输入指令(85h)自动变换地址。随机数据输入也可以多次使用。

　　3 缓存编程

　　缓存编程是页编程的一种, 可以由2112 字节的数据寄存器执行, 并只在一个块中有效。因为闪存芯片有一页缓存, 所以当数据寄存器被编入记忆单元中时它便可以执行连续数据输入。缓存编程只有在未完成的编程周期结束且数据寄存器从缓存中传数后才能开始。通过R/ B 脚可以判断内部编程是否完成。如果系统只用R/ B 来监控程序的进程,那么,最后一页目标程序的次序则必须由当前页编程指令来安排。

　　4 存储单元复录

　　该功能可以快速有效地改写一页中的数据而不需要访问外部存储器。因为消耗在连续访问和重新装载上的时间被缩短, 因而系统的执行能力会提高。尤其当块的一部分被升级而剩下的部分需要复制到新的块中去时, 它的优势就明显显示出来了。该操作是一个连续执行的读指令, 但不用连续地到目的地址访问和复制程序。一个原始页地址指令为“35h" 的读操作, 就可以把整个2112 字节的数据转移到内部数据缓冲器中。当芯片返回就绪状态时,带有目的地址循环的页复制数据输入指令就会写入。而该操作中的错误程序会由“通过/ 失败”状态给出。但是,如果该操作的运行时间过长,将会由于数据丢失而引起位操作错误,从而导致外部错误“检查/ 纠正”设备检查失效。由于这个原因, 该操作应使用两位错误纠正。