特点
?低栅极电荷
?国际标准封装
?EpoxymeetUL94V - 0可燃性
分类
?低RDS（ON）HDMOSTM过程
?坚固的多晶硅栅单元结构
?额定雪崩能量和电流
?快速内在整流器
优势
?易于安装
?节省空间
?高功率密度
| Parameter |
IXFH60N25Q |
| VDSS, max, (V) |
250 |
| ID(cont), TC=25°C, (A) |
60 |
| RDS(on), max, TJ=25°C, (Ohm) |
0.047 |
| Ciss, typ, (pF) |
5100 |
| Qg, typ, (nC) |
180 |
| trr, typ, (ns) |
|
| trr, max, (ns) |
250 |
| PD, (W) |
357 |
| RthJC, max, (°C/W) |
0.35 |