IKW40T120英飞凌IGBT单管价格优势
深圳市亨力拓电子有限公司货源电话：0755-83293082 阮先生
Infineon 1200V低饱和压降型IGBT单管（硬开关频率≤20KHZ）
IKW15T120 Tc = 25℃/100℃ IC = 30A/15A；VCE（sat）= 1.70V；1200V TO-247封装
IKW25T120 Tc = 25℃/100℃ Ic = 50A/25A；VCE（sat）= 1.70V；1200V TO-247封装
IKW40T120 Tc = 25℃/100℃ Ic = 75A/40A；VCE（sat）= 1.80V；1200V TO-247封装
特点：适合开关频率fs≤50KHz的应用领域;正温被系数饱和压降易于并联;TO-247封装易于安装；采用沟槽栅+电场终止层IGBT工艺技术置反并联软、快恢复（Emcon）高效二极管;。
40A,1200V TO-247 Fast IGBT
nfineon不仅生产IGBT芯片，还生产各种封装形式的IGBT单管，IGBT模块归属于其100％子公司――EUPEC生产。英飞凌半导体,1200VIBGT产品;应用天大功率电源,磁炉产品....
功率半导体一直是西门子半导体的核心产品。西门子在全球率先推出NPT-IGBT，具有高可靠、低成本的最优性能价格比。I
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IKW40T120英飞凌IGBT单管价格优势
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Infineon 1200V低饱和压降型IGBT单管（硬开关频率≤20KHZ）
IKW15T120 Tc = 25℃/100℃ Ic = 30A/15A；VCE（sat）= 1.70V；1200V TO-247封装
IKW25T120 Tc = 25℃/100℃ Ic = 50A/25A；VCE（sat）= 1.70V；1200V TO-247封装
IKW40T120 Tc = 25℃/100℃ Ic = 75A/40A；VCE（sat）= 1.80V；1200V TO-247封装
特点：适合开关频率fs≤50KHz的应用领域;正温被系数饱和压降易于并联;TO-247封装易于安装；采用沟槽栅+电场终止层IGBT工艺技术置反并联软、快恢复（Emcon）高效二极管;。
40A,1200V TO-247 Fast IGBT
nfineon不仅生产IGBT芯片，还生产各种封装形式的IGBT单管，IGBT模块归属于其100％子公司――EUPEC生产。英飞凌半导体,1200VIBGT产品;应用天大功率电源,磁炉产品....
功率半导体一直是西门子半导体的核心产品。西门子在全球率先推出NPT-IGBT，具有高可靠、低成本的最优性能价格比。I