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  • 发布日期: 2011年04月15日
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型号:SPW35N60C3
厂家:INF
封装:TO-3P 
参数:32.0A,600V,100mΩ

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圳市亨力拓电子有限公司货源电话:0755-83293082 阮先生

新的功率半导体产品,那么该产品一定要优于同类功率半导体。在过去的七年里,英飞凌的功率半导体,即CoolMOS?、超级结型高压 MOSFET、thinQ!TM 碳化硅肖特基二极管、OptiMOS? 100V MOSFET、CoolSET?、PWM/CoolMOS SPW35N60C3组合以及现在的 OptiMOS3? 30V MOSFET,都以实例验证了这一理念。测试后,就会明白为什么英飞凌的功率半导体可以为您带来如此出众的解决方案。
我们的产品包括


 N 沟道 MOSFET(20V…100V)
 N 沟道 MOSFET(>100V…300V)
 N 沟道 MOSFET(>300V…800V)
 N 沟道小信号 MOSFET(55V…800V)
 N 沟道耗尽型 MOSFET(60V…600V)
 P 沟道 MOSFET 互补型 MOSFET


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