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以下是NTD20P06LT4G，供应NTD20P06LT4G 场效应管，品牌:ON 型号:NTD20P06LT4G 封装:TO-252 极限电压:60V 极限电流:20A 用途:开关电源 类型:结型场效应管 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 ，请点击“询价”
品牌ON型号NTD20P06LT4G
封装TO-252极限电压60V
极限电流20A用途开关电源
类型结型场效应管沟道类型P沟道
导电方式增强型  

供应NTD20P06LT4G 场效应管

NTD20P06LT4G，供应NTD20P06LT4G 场效应管

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  • 所 在 地： 广东 东莞市 其它..
  • 发布日期： 2009年10月25日
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类别 分离式半导体产品
家庭 MOSFET - 单
Series -
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 150 毫欧 @ 7.5A, 5V
漏极至源极电压(Vdss) 60V
闸电荷(Qg) @ Vgs 26nC @ 5V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 15.5A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1190pF @ 25V
FET 型 P 沟道
FET 特点 逻辑电平门
功率 - 最大 65W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 DPak, SC-63,TO-252(2引线+接片)
剪切带 (CT)
产品目录页面
其它名称 NTD20P06LT4GOS
NTD20P06LT4GOS-ND
NTD20P06LT4GOSCT
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