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NTD80N02T4G
NTD80N02T4G-供应NTD80N02T4G 场效应管 品牌:ON 型号:NTD80N02T4G 封装:TO-252 极限电压:20V 极限电流:80A 用途:开关电源 类型:结型场效应管 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型-买卖IC网
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以下是NTD80N02T4G,供应NTD80N02T4G 场效应管,品牌:ON 型号:NTD80N02T4G 封装:TO-252 极限电压:20V 极限电流:80A 用途:开关电源 类型:结型场效应管 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
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品牌
ON
型号
NTD80N02T4G
封装
TO-252
极限电压
20V
极限电流
80A
用途
开关电源
类型
结型场效应管
沟道类型
N沟道
导电方式
增强型
供应NTD80N02T4G 场效应管
NTD80N02T4G,供应NTD80N02T4G 场效应管
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最小起订: 50PCS
供货总量: 65000PCS
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发 货 期: 1 天内发货
所 在 地: 广东 东莞市 其它..
发布日期: 2009年10月25日
深圳市长亮源科技有限公司
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联系人:古泳 (先生)
电话:0755-88878818/0769-22504988
传真:0755-88878828/0769-22504288
邮件:CLYGSX@163.COM
地址:深圳华强广场D座21楼J室/东莞赛格市场
NTD80N02T4G的详细信息
数据列表
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2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
MOSFET - 单
Series
-
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
5.8 毫欧 @ 80A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)
24V
闸电荷(Qg) @ Vgs
42nC @ 4.5V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
80A
在 Vds 时的输入
电容
(Ciss)
2600pF @ 20V
FET 型
N 沟道
FET 特点
逻辑电平门
功率 - 最大
75W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
DPak, SC-63,TO-252(2引线+接片)
带卷 (TR)
其它名称
NTD80N02T4GOS
NTD80N02T4GOS-ND
NTD80N02T4GOSTR
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