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以下是NTD80N02T4G，供应NTD80N02T4G 场效应管，品牌:ON 型号:NTD80N02T4G 封装:TO-252 极限电压:20V 极限电流:80A 用途:开关电源 类型:结型场效应管 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 ，请点击“询价”
品牌ON型号NTD80N02T4G
封装TO-252极限电压20V
极限电流80A用途开关电源
类型结型场效应管沟道类型N沟道
导电方式增强型  

供应NTD80N02T4G 场效应管

NTD80N02T4G，供应NTD80N02T4G 场效应管

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  • 所 在 地： 广东 东莞市 其它..
  • 发布日期： 2009年10月25日
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2,500
类别 分离式半导体产品
家庭 MOSFET - 单
Series -
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 5.8 毫欧 @ 80A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) 24V
闸电荷(Qg) @ Vgs 42nC @ 4.5V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 80A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 2600pF @ 20V
FET 型 N 沟道
FET 特点 逻辑电平门
功率 - 最大 75W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 DPak, SC-63,TO-252(2引线+接片)
带卷 (TR)
其它名称 NTD80N02T4GOS
NTD80N02T4GOS-ND
NTD80N02T4GOSTR
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以上是NTD80N02T4G，供应NTD80N02T4G 场效应管，品牌:ON 型号:NTD80N02T4G 封装:TO-252 极限电压:20V 极限电流:80A 用途:开关电源 类型:结型场效应管 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型的信息
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