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UCC27211DPR

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UCC27211DPR 技术参数

UCC27211DDAR 功能描述:功率驱动器IC 4A Peak,Hi Freq High/Low-Side Driver RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube UCC27211DDA 功能描述:功率驱动器IC 4A Peak,Hi Freq High/Low-Side Driver RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube UCC27211D 功能描述:功率驱动器IC 120V Boot,4A Peak,Hi Freq Hi/Lo-Side Drvr RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube UCC27211AQDDARQ1 功能描述:IC DVR HIGH/LOW SIDE 4A 8SO 制造商:texas instruments 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:剪切带（CT）零件状态:有效驱动配置:半桥通道类型:独立式驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:8 V ~ 17 V 逻辑电压?- VIL，VIH:1.2V，2.55V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:120V 上升/下降时间（典型值）:7.2ns，5.5ns 工作温度:-40°C ~ 140°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO PowerPad 标准包装:1 UCC27211ADRMT 制造商:Texas Instruments 功能描述:130V HS/LS NEW GENERATION GATE DRIVER - Tape and Reel 制造商:Texas Instruments 功能描述:130V HS/LS NEW GENERATION GATE DRIVER - Cut TR (SOS) 制造商:Texas Instruments 功能描述:MOSFET DRVR 4.5A 2-OUT Hi/Lo Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin VSON EP T/R 制造商:Texas Instruments 功能描述:IC DVR HIGH/LOW SIDE 4A 10VSON 制造商:Texas Instruments 功能描述:IC, MOSFET DRIV, HIGH/LOW SIDE, VSON-8 制造商:Texas Instruments 功能描述:DRIVER, MOSFET, LOW/HIGH SIDE, VSON-8, , ROHS COMPLIANT: YES 制造商:Texas Instruments 功能描述:130V HS/LS New Generation Gate Driver UCC27221PWP UCC27221PWPG4 UCC27221PWPR UCC27221PWPRG4 UCC27222EVM UCC27222PWP UCC27222PWPG4 UCC27222PWPR UCC27223EVM-001 UCC27223PWP UCC27223PWPG4 UCC27223PWPR UCC27321D UCC27321DG4 UCC27321DGN UCC27321DGNG4 UCC27321DGNR UCC27321DR