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UPD5750T7D

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说明
操作

UPD5750T7D-E4A-A
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：骆小姐
电话：18124020586
地址：深圳市龙岗区雅宝路1号星河world， A栋2203A
6295
Renesas Electronics Corpo
最新批次
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

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制造商
RENESAS
制造商全称
Renesas Technology Corp
功能描述
SiGe BiCMOS Integrated Circuit Wide Band LNA IC with Through Function

UPD5750T7D 技术参数

UPD44647366AF5-E25-FQ1-A 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) UPD44647366AF5-E25-FQ1 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) UPD44647366AF5-E22-FQ1-A 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) UPD44647366AF5-E22-FQ1 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) UPD44647186AF5-E25-FQ1-A 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) UPD65654GF-209-3BA-A UPD65880GB-061-8ES-A UPD65881GF-H01-3BE-A UPD65881GF-H02-3BE-A UPD65882GF-217-3BA-SES-A UPD65883GF-H06-3BE-A UPD65944GJ-P08-JEU-A UPD70F3025AGC-33-8EU-A UPD70F3201YGC-YEU-A UPD70F3311GC-8EA-A UPD70F3318GJ-UEN-A UPD70F3378M2GJA-GAE-AX UPD70F3382M2GJA-GAE-AX UPD70F3451GC(R)-UBT-A UPD70F3451GC-UBT-A UPD70F3452GC(R)-UBT-A UPD70F3452GC-UBT-A UPD70F3453GC(R)-8EA-A