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MOSFET晶体管 IRFL014NTRP
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  • 所 在 地: 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期: 2021年12月31日
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型号IRFL014NTRPBF厂家INFINEON/IR
批号21+封装SOT-223
详细参数
参数名称参数值
Source Content uidIRFL014NTRPBF
是否Rohs认证符合 符合
生命周期Active
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time15 weeks
风险等级0.88
其他特性AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.7 A
最大漏极电流 (ID)1.9 A
最大漏源导通电阻0.16 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-261AA
JESD-30 代码R-PDSO-G4
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.1 W
认证状态Not Qualified
子类别FET General Purpose Power
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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