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1N5260B-TAP二极管 齐纳 1N5262B-TAP 深圳市鸿裕兴
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，1N5260B-TAP二极管 齐纳 1N5262B-TAP 深圳市鸿裕兴

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  • 所 在 地： 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期： 2021年12月16日
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型号1N5260B-TAP厂家Vishay
封装DO-35  
1N4007-E3/73
1N4007-E3/73
10D-471K
10D-471K
1N5407-E3/54
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5KV22P
5KV22P
1N4745A(1W-16V)
1N5821
1N4745A(1W-16V)
1N4745A-16V
1N5821
1N5822
1N4739A-TAP
1N4739A-TAP
12C3-0.5W14V
12C3-0.5W14V
1N4756A-47V
1N4756A
1N4756A-47V
1N4756A
1SS184
1SS184
1N4745A-TAP
1N4741A-11V
1N4746A(1W-18V)
1N4745A-TAP
1N4743A-13V
1N4746A(1W-18V)
1N4744A
1N4758A-TAP
1N4758A-TAP
1N4751A
1N4757A-51V
1N4730A-TAP
1N4730A-TAP
1N4148WS-E3-08
5KP36CA
5KP36CA
4N26
1N4148WS-E3-08
1N4007-E3/73
1N4007-E3/73
1N4002-E3/54
1N5407-E3/54
1N5407-E3/54
1N4735A-6.2V

类别 分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Vishay General SemIConductor - Diodes Division 系列 Automotive, AEC-Q101 包装 带盒（TB） 零件状态 在售 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) 43 V 容差 ±5% 功率 - 最大值 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt) 93 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 100 nA @ 33 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.1 V @ 200 mA 工作温度 -65°C ~ 175°C 安装类型 通孔 封装/外壳 DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装 DO-35（DO-204AH） 基本产品编号 1N5260
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