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存储器FM25L16B 原装现货 价格优惠 欢迎询价
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  • 发布日期: 2020年10月19日
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型号FM25L16B厂家CYPRESS
批号19+封装SOIC_8
特性

16K位铁电非易失存储器

?组织为2048 x 8位

?高耐力100万亿(1014)读/写

?38年数据保留(@ + 75oC)

?NoDelay?写道

?先进的高铁电的过程

非常快的串行外围接口- SPI

?20 MHz的频率

?直接替代eepm硬件

?SPI模式0 & 3 (CPOL CPHA = 0, 0和1,1)

复杂的写保护方案

?硬件保护

?软件保护

低功耗

?2.7 - -3.6 v低电压操作

?200?有功电流(1 MHz)

?3?(typ)。待机电流

行业标准配置

?工业温度-40?C + 85?C

?有“绿色”/ RoHS SOIC和TDFN包

描述

FM25L16B是一个16千字节的非易失性内存

采用先进的铁电工艺。一个

铁电随机存取存储器简称F-RAM

非易失性,并像a一样执行读写操作

RAM。它提供38年的可靠数据保存

同时消除复杂性、开销和

系统级可靠性问题造成的

EEPROM和其他非易失性存储器。

FM25L16B在总线上执行写操作

速度。不产生写入延迟。数据被写入

每个字节之后的内存数组

转移到设备上下一个公交周期

无需数据轮询即可开始。

FM25L16B能够支持1014架

读/写周期,或一百万倍以上的写

比eepm周期。

这些能力使FM25L16B理想的

非易失性内存应用程序需要频繁

或快速写道。例子包括数据收集,

写周期的数量可能是关键的,到

要求工业控制哪里长写

EEPROM的时间会导致数据丢失。

FM25L16B为用户提供了实质性的好处

串行EEPROM的硬件插槽

更换。FM25L16B使用高速

SPI总线,提高了高速写

F-RAM技术的能力。设备

规格是保证超过一个工业

温度范围-40℃至+85℃。

图文
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