制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 3.1 A
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 400 mV
Qg-栅极电荷: 10 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.6 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
系列: SI2
晶体管类型: 1 P-Channel
商标: Vishay SemIConductors
正向跨导 - 最小值: 9.5 S
下降时间: 10 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 35 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
零件号别名: SI2301CDS-GE3
单位重量: 8 mg
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