制造商: STMICroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 3 A
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 22.5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 25 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
配置: Single
高度: 9.3 mm
长度: 10.4 mm
系列: STP4NK80ZFP
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.6 mm
商标: STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值: 2.9 S
下降时间: 32 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
单位重量: 330 mg
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