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代理现货 晶体管 IRF9Z34NSTRLPBF
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  • 所 在 地: 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期: 2020年05月15日
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型号IRF9Z34NSTRLPBF厂家IR
批号19+封装TO-263
数据列表 IRF9Z34NSPbF/NLPbF;
标准包装  800
包装  标准卷带 
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
系列 HEXFET?
其它名称 IRF9Z34NSTRLPBF-ND
IRF9Z34NSTRLPBFTR
SP001554544

规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),68W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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