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NVTFS5116PLTAG
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  • 发布日期: 2019年12月24日
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一般信息
数据列表
系列-
其它名称NVTFS5116PLTAGOSCT 

规格
FET 类型P 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)52 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)25nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1258pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散(最大值)3.2W(Ta),21W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-WDFN(3.3x3.3)
封装/外壳8-PowerWDFN
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