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以下是，LMV358DR2G，品牌:ON SEMICONDUCTOR 型号:LMV358DR2G ，请点击“询价”
品牌ON型号LMV358DR2G

LMV358DR2G

，LMV358DR2G

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  • 所 在 地： 北京 北京市辖区 朝阳区
  • 发布日期： 2019年09月19日
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  • 邮件：hongby@buyelec.net
  • 地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
单位增益带宽乘积:

1

安装:

面山

操作温度范围:

-40 c到85 c

包装:

磁带和卷轴

针数:

8

输入偏置电流:

1 (nA)

操作温度分类:

工业

双电源电压(Typ):

不需要(V)

双电源电压(Min):

不需要(V)

电源要求:

单

输入失调电压:

9 (mV)

包装类型:

SOIC N

铁路/轨道I / O型:

轨间产量

数量的元素:

2

电源抑制比:

50 (dB)

电压增益(dB):

100 (dB)
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