产品概述
CSD25310Q2是一款NexFET?P沟道功率MOSFET, 设计用于提供最低的导通电阻与栅极电荷, 具有超小外形, 并具出色热特性. 该产品具有低导通电阻, 塑料封装, 极小占地面积, 适用于电池供电, 空间有限的应用. 超低Qg与Qgd
低导通电阻
低热阻
无卤素
塑料包装
工作结温范围-55至150°C
应用
产品信息
晶体管极性: P沟道 电流, Id 连续: -20A 漏源电压, Vds: -20V 在电阻RDS(上): 0.0199ohm 电压 @ Rds测量: -4.5V 阈值电压 Vgs: -850mV 功耗 Pd: 2.9W 晶体管封装类型: WSON 针脚数: 6引脚 工作温度最高值: 85°C 产品范围: - 汽车质量标准: - MSL: MSL 1 -无限制
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