| 品牌 | INFINEON | 型号 | SPD30P06PGBTMA1 |
Infineon SIPMOS? P 通道 MOSFET
Infineon SIPMOS? 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。
· 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表）
· 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
产品技术参数
属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 30 A
最大漏源电压 60 V
最大栅源电压 -20 V、+20 V
封装类型 DPAK (TO-252)
安装类型 表面贴装
引脚数目 3
晶体管配置 单
通道模式 增强
最大功率耗散 125 W
最低工作温度 -55 °C
每片芯片元件数目 1
宽度 6.22mm
典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V
高度 2.41mm
系列 SIPMOS
最高工作温度 +175 °C
长度 6.73mm
晶体管材料 Si
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