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CSD17306Q5A正品保障公司现货量大从优CSD17306Q5A
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  • 所 在 地: 北京 北京市辖区 朝阳区
  • 发布日期: 2019年07月30日
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  • 电话:17862669251
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  • 地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
品牌TI型号CSD17306Q5A
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 100 A
最大漏源电压 30 V
最大漏源电阻 5.4 mΩ
最大栅阈值电压 1.6V
最小栅阈值电压 0.9V
最大栅源电压 -8 V,+10 V
封装类型 SON
安装类型 表面贴装
引脚数目 8
晶体管配置
通道模式 增强
类别 功率 MOSFET
最大功率耗散 3.2 W
典型接通延迟时间 7.8 ns
宽度 5mm
最低工作温度 -55 °C
典型关断延迟时间 18.4 ns
每片芯片元件数目 1
晶体管材料 Si
长度 5.8mm
尺寸 5.8 x 5 x 1.1mm
高度 1.1mm
系列 NexFET
典型输入电容值@Vds 1670 pF @ 15 V
最高工作温度 +150 °C
典型栅极电荷@Vgs 11.8 nC @ 4.5 V
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