数据列表 IRFB3207ZPbF, IRFS(L)3207ZPbF
产品相片 TO-263
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
设计资源 IRFB3207ZPBF Saber Model
IRFB3207ZPBF Spice Model
标准包装 50
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET?
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss) 75V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 120A （Tc）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.1 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 4V @ 150μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 170nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 6920pF @ 50V 功率 - 最大值 300W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
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