类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 -
包装 ? 剪切带（CT） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 0.68nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 83pF @ 10V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 360mW（Ta），2.7W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 DFN1006-3
封装/外壳 SC-101，SOT-883
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