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IPL60R199CP现货供应优势出售IPL60R199CP
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  • 所 在 地： 北京 北京市辖区 朝阳区
  • 发布日期： 2019年06月04日
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型号IPL60R199CP厂家INFINEON
批号18+封装VSON
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 16 A
最大漏源电压 600 V
最大漏源电阻值 470 mΩ
最大栅源电压 -30 V、+30 V
封装类型 VSON
安装类型 表面贴装
引脚数目 4
晶体管配置 单
通道模式 增强
类别 功率 MOSFET
最大功率耗散 139 W
最低工作温度 -40°C
高度 1.1mm
每片芯片元件数目 1
宽度 8.1mm
长度 8.1mm
典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V
尺寸 8.1 x 8.1 x 1.1mm
系列 CoolMOS CP
典型接通延迟时间 10 ns
典型输入电容值@Vds 1520 pF @ 100 V
最高工作温度 +150 °C
晶体管材料 Si
典型关断延迟时间 50 ns
正向二极管电压 0.9V
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