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IRF9Z24NPBF现货供应优势出售
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，IRF9Z24NPBF现货供应优势出售

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  • 所 在 地： 北京 北京市辖区 朝阳区
  • 发布日期： 2019年05月31日
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型号IRF9Z24NPBF厂家INFINEON
批号18+封装TO-220AB
属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 12 A
最大漏源电压 55 V
最大漏源电阻值 175 mΩ
最大栅阈值电压 4V
最小栅阈值电压 2V
最大栅源电压 -20 V、+20 V
封装类型 TO-220AB
安装类型 通孔
晶体管配置 单
引脚数目 3
通道模式 增强
类别 功率 MOSFET
最大功率耗散 45 W
系列 HEXFET
最高工作温度 +175 °C
晶体管材料 Si
典型接通延迟时间 13 ns
最低工作温度 -55 °C
典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 10 V
高度 8.77mm
典型关断延迟时间 23 ns
每片芯片元件数目 1
典型输入电容值@Vds 350 pF @ 25 V
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