数据列表 BSC060N10NS3 G
BSC060N10NS3 G
产品相片 8-PowerTDFN
标准包装 5,000
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 OptiMOS?
包装 带卷 (TR)
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 14.9A （Ta）， 90A （Tc）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 90μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 68nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 4900pF @ 50V 功率 - 最大值 125W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerTDFN
供应商器件封装 PG-TDSON-8（5.15x6.15）
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