| 品牌 | INFINEON | 型号 | IRLML6302TRPBF |
数据列表 IRLML6302PbF
产品相片 SOT-23-3
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
设计资源 IRLML6302TR Saber Model
IRLML6302TR Spice Model
标准包装 3,000
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET?
包装 带卷 (TR)
FET 类型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss) 20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 780mA （Ta）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 610mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 3.6nC @ 4.45V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 97pF @ 15V 功率 - 最大值 540mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装 Micro3?/SOT-23
产品目录页面 1520 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 IRLML6302PBFTR
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