美国Graphene supermarket双层CVD石墨烯薄膜层CVD石墨烯薄膜石墨烯/H-BN薄膜：
单层H-BN薄膜上的单层石墨烯薄膜转移到285纳米（p掺杂）SiO2/Si晶片上
尺寸：1cmx1cm；8包
薄膜是连续的，带有小孔和有机残留物。
石墨烯薄膜为牙前单层（95%以上），偶尔有小的多层岛（5%以下为双层）。
片电阻：430-800Ω/平方
以下所示的每张胶片的转移
在铜箔上通过化学气相沉积法生长石墨烯薄膜和H-BN薄膜，然后转移到SiO2/Si晶片上。
欲了解转移前薄膜的特性，请参阅我们的相关产品：铜箔上的石墨烯和铜箔上的H-BN。
硅/二氧化硅晶片的特性：
氧化物厚度：285纳米
氧化物厚度：285纳米
颜色：紫色
晶片厚度：525微米
电阻率：0.001-0.005ohm-cm
类型/掺杂剂：P/硼
方向：<100>
前表面：抛光
背面：蚀刻