SI4850EY-T1-E3介绍：

描述 MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC

详细描述 表面贴装 N 沟道 60V 6A（Ta） 1.7W（Ta） 8-SO

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET?

包装     带卷（TR）

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 22 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 27nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.7W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-SO

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）