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深圳市艾飞琪电子 2N7002LT1G 原装现货
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，深圳市艾飞琪电子 2N7002LT1G 原装现货

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  • 所 在 地： 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期： 2019年01月03日
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  • 传真：-
  • 邮件：aifeiqi@163.com
  • 地址：深圳市福田区都会大厦B座29S
型号2N7002LT1G厂家ON
批号18+封装SOT23
制造商

系列-

规格
FET 类型N 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）115mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250μA
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）50pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散（最大值）225mW（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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