FDS2670介绍：
描述 MOSFET N-CH 200V 3A 8-SO
制造商标准提前期 6 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 200V 3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 130 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 43nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1228pF @ 100V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SOIC
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
在双极性晶体管中，射极到基极的很小的电流，会使得发射极到集电极之间，产生大电流；在场效应晶体管中，在栅极施加小电压，来控制源极和泄极之间的电流。
公司的全球总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯，并在北美、欧洲和亚太地区等关键市场运营包括制造厂、销售办事处和设计中心的强大网络。
免责声明： 以上所展示的信息由企业自行提供，内容的真实性、准确性和合法性由发布企业负责。买卖IC网对此不承担任何保证责任。
以上是，晶体管 FDS2670 MOSFET - 单，类型:分立半导体产品的信息