FDS9933A介绍：
描述 MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
制造商标准提前期 26 周
详细描述 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 3.8A 900mW 表面贴装 8-SOIC
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 2 个 P 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.8A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 75 毫欧 @ 3.8A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 10V 功率 - 最大值 900mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SOIC
无论多么优良的电子管，都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。由于技术上的原因，晶体管制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的改善，晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍，称得起永久性器件的美名
ON Semiconductor -ON Semiconductor (Nasdaq: ON) 推动能效创新，帮助客户减少总体能源使用。 公司提供种类全面的产品组合，具体包括高能效电源和信号管理、逻辑、分立和定制解决方案，能帮助设计工程师解决在汽车、通信、计算、消费电子、工业、LED 照明、医疗、军事/航空航天和电源应用方面的独特设计难题。
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